IRF7104和IRF7104TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7104 IRF7104TRPBF IRF7104PBF

描述 SOIC P-CH 20V 2.3AINFINEON  IRF7104TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.3 A, -20 V, 0.19 ohm, -10 V, -3 VINFINEON  IRF7104PBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2.3 A, -20 V, 250 mohm, -10 V, -3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -20.0 V - -

额定电流 -2.30 A - -

极性 Dual P-Channel Dual P-Channel Dual P-Channel

产品系列 IRF7104 - -

漏源极电压(Vds) 20.0 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 -20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 2.30 A 2.3A 2.3A

上升时间 16.0 ns 16 ns 16 ns

额定功率 - 2 W 2 W

通道数 - - 2

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.19 Ω 0.25 Ω

耗散功率 - 2 W 2 W

阈值电压 - 3 V 3 V

热阻 - - 62.5℃/W (RθJA)

输入电容(Ciss) - 290pF @15V(Vds) 290pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 2 W 2 W

下降时间 - 30 ns 30 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2 W 2 W

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 3.9 mm

高度 - 1.5 mm 1.5 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

材质 - - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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