SQM40N15-38-GE3和SQM40N15-38_GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SQM40N15-38-GE3 SQM40N15-38_GE3 SQM120P06-07L_GE3

描述 MOSFET,N CH,W DIODE,150V,40A,TO-263MOSFET N-CH 150V 40A TO263MOSFET P-CH 60V 120A TO263

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 166 W 166W (Tc) 375W (Tc)

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V -

输入电容(Ciss) - 3390pF @25V(Vds) 14280pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 166W (Tc) 375W (Tc)

漏源极电阻 0.027 Ω - -

阈值电压 3 V - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm - -

宽度 9.65 mm - -

高度 4.83 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

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