JANTX1N5806和UES1103

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX1N5806 UES1103 FE3D

描述 Diode Switching Diode 150V 2.5A 2Pin Case G-111整流器 RECTIFIERS玻璃钝化快捷高效整流器 GLASS PASSIVATED FAST EFFICIENT RECTIFIER

数据手册 ---

制造商 Semtech Corporation Microsemi (美高森美) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管功率二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 -

封装 G-111 A, Axial -

正向电压 0.875 V 975mV @2A -

反向恢复时间 25 ns 25 ns -

正向电流 3300 mA 2500 mA -

正向电流(Max) 3.3 A 2.5 A -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

工作结温 - 175℃ (Max) -

正向电压(Max) 875mV @1A - -

封装 G-111 A, Axial -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Lead Free -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

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