2SB772SL-P-AB3-R和KSB772YSTSSTU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SB772SL-P-AB3-R KSB772YSTSSTU B772SSG-P-AE3-R

描述 Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, LEAD FREE PACKAGE-3Trans GP BJT PNP 30V 3A 3Pin(3+Tab) TO-126 RailPNP SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 UTC (友顺) Fairchild (飞兆/仙童) UTC (友顺)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

封装 - TO-126-3 -

极性 - PNP -

击穿电压(集电极-发射极) - 30 V -

集电极最大允许电流 - 3A -

最小电流放大倍数(hFE) - 160 @1A, 2V -

额定功率(Max) - 1 W -

封装 - TO-126-3 -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 -

ECCN代码 - EAR99 -

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