对比图
型号 CY7C1318KV18-250BZC CY7C1318KV18-250BZI CY7C1318KV18-250BZCT
描述 18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst ArchitectureSRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165Pin FBGA T/R
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
位数 18 18 18
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
时钟频率 250 MHz - -
存取时间 1 ms - -
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 - 3A991.b.2.a -