对比图
型号 IXTA180N10T BUK764R3-40B,118 IXTH180N10T
描述 N沟道 100V 180AD2PAK N-CH 40V 176AN沟道 100V 180A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor NXP (恩智浦) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-247-3
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 480 W 254 W 480 W
漏源极电压(Vds) 100 V 40 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 180A 176A 180A
输入电容(Ciss) 6900pF @25V(Vds) 4824pF @25V(Vds) 6900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 254 W 480 W
耗散功率(Max) 480W (Tc) 254W (Tc) 480W (Tc)
通道数 1 - 1
漏源极电阻 6.4 mΩ - 6.4 mΩ
漏源击穿电压 100 V - 100 V
上升时间 54 ns - 54 ns
下降时间 31 ns - 31 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - 55 ℃
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-247-3
长度 9.9 mm - 16.26 mm
宽度 9.2 mm - 5.3 mm
高度 4.5 mm - 21.46 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free