71124S12YG8和IDT71124S12YG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71124S12YG8 IDT71124S12YG IS63LV1024-12KL

描述 SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 12ns 32Pin SOJ T/RSRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 12ns 32Pin SOJ Tube1Mb, High-Speed, Async, 128K x 8, 12ns, 3.3V, 32Pin SOJ (400 mil), RoHS

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 32 - 32

封装 BSOJ-32 BSOJ-32 SOJ-32

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

供电电流 160 mA - 130 mA

存取时间 12 ns - 12 ns

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 3V ~ 3.6V

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)

位数 - - 8

内存容量 - - 1000000 B

存取时间(Max) - - 12 ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3 V

长度 20.9 mm - -

宽度 10.2 mm - -

封装 BSOJ-32 BSOJ-32 SOJ-32

厚度 2.20 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube, Rail Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - 3A991 EAR99

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