THS4504DR和THS4505DR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 THS4504DR THS4505DR THS4504D

描述 宽带,低失真,全差动放大器 WIDEBAND, LOW-DISTORTION, FULLY DIFFERENTIAL AMPLIFIERS宽带,低失真,全差动放大器 WIDEBAND, LOW-DISTORTION, FULLY DIFFERENTIAL AMPLIFIERS宽带,低失真,全差动放大器 WIDEBAND, LOW-DISTORTION, FULLY DIFFERENTIAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 110mA @5V 110mA @5V 110mA @5V

供电电流 16 mA 16 mA 16 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 1020 mW 1.02 W 1020 mW

共模抑制比 74 dB 74 dB 74 dB

输入补偿漂移 10.0 µV/K 10.0 µV/K 10.0 µV/K

带宽 260 MHz 260 MHz 260 MHz

转换速率 1.80 kV/μs 1.80 kV/μs 1.80 kV/μs

增益频宽积 200 MHz 200 MHz 210 MHz

输入补偿电压 4 mV 4 mV 4 mV

输入偏置电流 4 µA 4 µA 4 µA

可用通道 S S S

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

3dB带宽 260 MHz 260 MHz 260 MHz

耗散功率(Max) 1020 mW 1020 mW 1020 mW

共模抑制比(Min) 74 dB 60dB ~ 75dB 74 dB

电源电压(Max) 15V ~ 18V 15V ~ 18V 15V ~ 18V

增益带宽 - 210 MHz 210 MHz

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

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