对比图
型号 IXTP180N10T IXTQ180N10T IXTH180N10T
描述 N沟道 100V 180ATrans MOSFET N-CH 100V 180A 3Pin(3+Tab) TO-3PN沟道 100V 180A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-247-3
引脚数 3 - -
通道数 1 - 1
漏源极电阻 6.4 mΩ - 6.4 mΩ
极性 N-Channel - N-CH
耗散功率 480 W 480W (Tc) 480 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V - 100 V
连续漏极电流(Ids) 180 A - 180A
上升时间 54 ns - 54 ns
输入电容(Ciss) 6900pF @25V(Vds) 6900pF @25V(Vds) 6900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 480 W - 480 W
下降时间 31 ns - 31 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 480W (Tc) 480W (Tc) 480W (Tc)
长度 10.66 mm - 16.26 mm
宽度 4.83 mm - 5.3 mm
高度 9.15 mm - 21.46 mm
封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free