IRFP250PBF和IRFP4668PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFP250PBF IRFP4668PBF NTE2376

描述 VISHAY  IRFP250PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 200 V, 85 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFP4668PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 200 V, 0.008 ohm, 30 V, 5 VNTE ELECTRONICS  NTE2376  场效应管, MOSFET

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) NTE Electronics

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247

额定电压(DC) 200 V - -

额定电流 30.0 A - -

额定功率 190 W 520 W -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.085 Ω 0.008 Ω 0.085 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 190 W 520 W 190 W

阈值电压 4 V 5 V 4 V

输入电容 2800pF @25V 10720 pF -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V - 200V (min)

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 30.0 A 130A 30.0 A

上升时间 86 ns 105 ns 86.0 ns

输入电容(Ciss) 2800pF @25V(Vds) 10720pF @50V(Vds) -

下降时间 62 ns 74 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 190000 mW 520W (Tc) -

额定功率(Max) - 520 W -

长度 15.87 mm 15.87 mm -

宽度 5.31 mm 5.31 mm -

高度 20.7 mm 20.7 mm -

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

包装方式 Tube Tube -

产品生命周期 - Active -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - - EAR99

HTS代码 - - 85412900951

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司