对比图



型号 IRFP250PBF IRFP4668PBF NTE2376
描述 VISHAY IRFP250PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 200 V, 85 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRFP4668PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 200 V, 0.008 ohm, 30 V, 5 VNTE ELECTRONICS NTE2376 场效应管, MOSFET
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) NTE Electronics
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247 TO-247-3 TO-247
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 30.0 A - -
额定功率 190 W 520 W -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.085 Ω 0.008 Ω 0.085 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 190 W 520 W 190 W
阈值电压 4 V 5 V 4 V
输入电容 2800pF @25V 10720 pF -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V - 200V (min)
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 30.0 A 130A 30.0 A
上升时间 86 ns 105 ns 86.0 ns
输入电容(Ciss) 2800pF @25V(Vds) 10720pF @50V(Vds) -
下降时间 62 ns 74 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 190000 mW 520W (Tc) -
额定功率(Max) - 520 W -
长度 15.87 mm 15.87 mm -
宽度 5.31 mm 5.31 mm -
高度 20.7 mm 20.7 mm -
封装 TO-247 TO-247-3 TO-247
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
包装方式 Tube Tube -
产品生命周期 - Active -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 - - EAR99
HTS代码 - - 85412900951