对比图
型号 FDW258P SI4403CDY-T1-GE3 TPS1100D
描述 P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFETSmall Signal Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 20V, 1Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Intertechnology TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 8 - 8
封装 TSSOP-8 - SOIC-8
额定电压(DC) -12.0 V - -15.0 V
额定电流 -9.00 A - -1.60 A
输出电压 - - -15.0 V
漏源极电阻 11.0 mΩ - 0.18 Ω
极性 P-Channel - P-Channel
耗散功率 1.3 W - 791 mW
漏源极电压(Vds) 12 V - 15 V
连续漏极电流(Ids) 9.00 A - -1.60 A
上升时间 23 ns - 10 ns
额定功率(Max) 600 mW - 791 mW
下降时间 23 ns - 2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 85 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -40 ℃
耗散功率(Max) 1.3W (Ta) - 791mW (Ta)
栅源击穿电压 ±8.00 V - -
输入电容(Ciss) 5049pF @5V(Vds) - -
封装 TSSOP-8 - SOIC-8
长度 4.4 mm - -
宽度 3 mm - -
高度 1 mm - -
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
香港进出口证 - - NLR
ECCN代码 EAR99 - -