对比图
型号 IPP80N04S2L-03 IPP80N04S3-03 IPI80N04S3-03
描述 OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3
通道数 1 - -
漏源极电阻 3.4 mΩ - -
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 300 W 188 W 188 W
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
漏源击穿电压 40 V - -
连续漏极电流(Ids) 80A 80A 80A
上升时间 50 ns 17 ns 17 ns
输入电容(Ciss) 6000pF @25V(Vds) 7300pF @25V(Vds) 7300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 188 W 188 W
下降时间 27 ns 14 ns 14 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
长度 10 mm 10 mm 10.2 mm
宽度 4.4 mm 4.4 mm 4.5 mm
高度 15.65 mm 15.65 mm 9.45 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3
产品生命周期 Obsolete Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃
ECCN代码 - - EAR99