IXFC30N60P和STF20NM65N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFC30N60P STF20NM65N STF24N65M2

描述 Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 220N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN-沟道 650 V 0.23 Ω 30 W 法兰安装 MDmesh M2 功率 Mosfet - TO-220FP

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 ISOPLUS-220 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 30.0 A - -

漏源极电阻 250 mΩ 0.25 Ω 0.23 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 166W (Tc) 30 W 30 W

输入电容 3.82 nF - 1060 pF

栅电荷 85.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 650 V

漏源击穿电压 600 V - -

连续漏极电流(Ids) 15.0 A 15A 16A

上升时间 20 ns 13.5 ns 9.5 ns

输入电容(Ciss) 3820pF @25V(Vds) 1280pF @50V(Vds) 1060pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 166 W 30 W -

下降时间 25 ns 21 ns 25.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 166W (Tc) 30W (Tc) 30W (Tc)

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 3 V -

封装 ISOPLUS-220 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 16.4 mm -

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 End of Life Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99

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