BSM35GD120DLCE3224和F4400R12KF4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSM35GD120DLCE3224 F4400R12KF4 BSM15GD120DLCE3224

描述 Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 70A 17Pin EconoPACK 2A T/RInsulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 35A 17Pin EconoPACK 2A T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Eupec Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Screw - Screw

封装 ECONO2-2 - EconoPACK 2A

引脚数 17 - -

耗散功率 280000 mW - 145 W

工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - 40 ℃

耗散功率(Max) 280000 mW - -

长度 - - 107.5 mm

宽度 - - 45 mm

高度 - - 17 mm

封装 ECONO2-2 - EconoPACK 2A

产品生命周期 Obsolete Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

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