IRG4BC20KD-S和IRG4BC20KD-SPBF的区别_IRG4BC20KD-S代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRG4BC20KD-S IRG4BC20KD-SPBF IRG4BC20KD-STRRPBF

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK TubeCo-Pack IGBT 高达 20A，InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置 ### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK

额定功率 60 W 60 W -

针脚数 - 3 -

耗散功率 - 60 W -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V -

热阻 - 40 ℃/W -

反向恢复时间 37 ns 37 ns -

额定功率(Max) 60 W 60 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 60000 mW -

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 9.65 mm -

高度 - 4.83 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -