对比图
型号 IRFR13N20DTRLP PSMN130-200D IRFR13N20DTRPBF
描述 DPAK N-CH 200V 13AN沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 200 V, 0.235 ohm, 10 V, 5.5 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-252-3 DPAK TO-252-3
额定功率 - - 110 W
通道数 1 - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 165 mΩ - 235 mΩ
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 110 W - 110 W
阈值电压 - - 5.5 V
输入电容 - - 830 pF
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V - 200 V
连续漏极电流(Ids) 13A 20A 13A
上升时间 27 ns - 27 ns
输入电容(Ciss) 830pF @25V(Vds) - 830pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 110 W
下降时间 10 ns - 10 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) - 110W (Tc)
长度 6.5 mm - 6.73 mm
宽度 6.22 mm - 6.22 mm
高度 2.3 mm - 2.3 mm
封装 TO-252-3 DPAK TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 - Lead Free