IS42S32800D-7TL和IS42S32800D-7TLI的区别_IS42S32800D-7TL代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S32800D-7TL IS42S32800D-7TLI MT48LC8M32B2TG-7IT

描述 RAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度每个时钟周期的随机列地址自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAMINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS42S32800D-7TLI 存储芯片, SDRAM, IND, 8M X 32, 3V, 86TSOP2DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 86Pin TSOP Tray

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 86 86 -

封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

频率 - 143 MHz -

供电电流 150 mA 150 mA -

针脚数 - 86 -

时钟频率 143 MHz 143 MHz -

位数 32 32 -

存取时间 5.4 ns 5.5 ns -

存取时间(Max) 6.5ns, 5.4ns 5.4ns, 6.5ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V -

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V -

电源电压(Min) 3 V 3 V -

额定电压(DC) - - 3.30 V

宽度 10.29 mm 10.16 mm -

封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP

长度 22.42 mm - -

高度 1.05 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Design Obsolete

包装方式 Tray Each -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99