对比图
型号 2N743 IRHM7264SE IRHM7264SEPBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,TO-254AA N-CH 250V 31ATO-254AA N-CH 250V 31A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
封装 - TO-254 TO-254
极性 - N-CH N-CH
漏源极电压(Vds) - 250 V 250 V
连续漏极电流(Ids) - 31A 31A
上升时间 - 130 ns -
下降时间 - 90 ns -
封装 - TO-254 TO-254
产品生命周期 Active Active Active
RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -