IS42S16160D-7TLI和IS42S16160G-7TLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S16160D-7TLI IS42S16160G-7TLI MT48LC16M16A2P-75:D

描述 INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)  IS42S16160D-7TLI  存储芯片, SDRAM, IND, 16M X 16, 3V, 54TSOP2RAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式MICRON  MT48LC16M16A2P-75:D  芯片, SDRAM 256MB

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54 54

封装 TSOP-54 TSOP-54 TSOP-54

供电电流 130 mA 130 mA 135 mA

针脚数 54 54 54

时钟频率 - 143 MHz -

位数 - 16 16

存取时间 5.4 ns 7 ns 5.4 ns

存取时间(Max) - 5.4 ns 6ns, 5.4ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

频率 143 MHz - 133 MHz

工作电压 - - 3.30 V

内存容量 - - 32000000 B

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 3 V - -

长度 22.42 mm 22.42 mm -

宽度 10.29 mm 10.29 mm -

高度 1.05 mm 1.05 mm 1 mm

封装 TSOP-54 TSOP-54 TSOP-54

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Not Recommended for New Design Active Unknown

包装方式 Each Each Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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