对比图
型号 HUF75652G3 IXFH80N10Q IXFH75N10
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75652G3.. 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 75A, TO-247TO-247AD N-CH 100V 80AIXYS SEMICONDUCTOR IXFH75N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 20 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 75.0 A 80.0 A 75.0 A
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.0067 Ω 15.0 mΩ 0.02 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 515 W 360 W 300 W
阈值电压 4 V - 4 V
输入电容 - - 4.50 nF
栅电荷 - - 260 nC
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 80.0 A 75.0 A
上升时间 - 70.0 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 7585pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 515 W 360 W 300 W
下降时间 - - 60 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 515W (Tc) 360W (Tc) 300W (Tc)
漏源击穿电压 100 V - -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 15.87 mm - -
宽度 4.82 mm - -
高度 20.82 mm - -
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Bulk
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - -