2SB709AR和BC856B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SB709AR BC856B DTA124EEBTL

描述 2SB709AR PNP三极管 -45V -100mA/-0.1A 80MHz 210~340 -500mV/-0.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 BR 放大Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1Element, PNP, Silicon, TO-236, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 22 kohm, 22 kohm

数据手册 ---

制造商 Panasonic (松下) Diotec Semiconductor ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-416

频率 - 100 MHz -

耗散功率 - 0.25 W -

增益频宽积 - 100 MHz -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 250 mW 150 mW

极性 PNP - PNP

击穿电压(集电极-发射极) 45 V - 50 V

集电极最大允许电流 0.1A - 100mA

额定功率 - - 0.15 W

最小电流放大倍数(hFE) - - 56 @5mA, 5V

额定功率(Max) - - 150 mW

增益带宽 - - 250 MHz

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-416

材质 - Silicon -

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

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