对比图
型号 FQI12N60 FQI7N60TU IRFSL9N60APBF
描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETFQI7N60: N 沟道 QFETPower Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, TO-262, 3Pin
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Vishay Intertechnology
分类 MOS管
封装 TO-262 TO-262-3 TO-262
引脚数 - 3 -
封装 TO-262 TO-262-3 TO-262
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Rail, Tube -
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
耗散功率 - 3.13 W -
漏源极电压(Vds) - 600 V -
上升时间 - 80 ns -
输入电容(Ciss) - 1430pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 3.13 W -
下降时间 - 60 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 3130 mW -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -