IRFR210和IRFR210TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR210 IRFR210TRPBF IRFR210PBF

描述 MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAKPower Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Intertechnology Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 DPAK TO-252-3

引脚数 3 - -

耗散功率 2.5W (Ta), 25W (Tc) - 2.5W (Ta), 25W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V - 200 V

输入电容(Ciss) 140pF @25V(Vds) - 140pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) - 2.5W (Ta), 25W (Tc)

极性 N-Channel - -

连续漏极电流(Ids) 2.60 A - -

额定功率(Max) 2.5 W - -

封装 TO-252-3 DPAK TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - 无铅

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