CSD25310Q2和CSD25402Q3A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD25310Q2 CSD25402Q3A CSD25302Q2

描述 20V P 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD25310Q2TEXAS INSTRUMENTS  CSD25402Q3A  晶体管, MOSFET, P沟道, -35 A, -20 V, 0.0077 ohm, -4.5 V, 900 mVP 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 8 6

封装 WSON-FET-6 VSON-8 WSON-FET-6

针脚数 6 8 6

漏源极电阻 0.0199 Ω 0.0077 Ω 0.039 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2.9 W 69 W 2.4 W

阈值电压 850 mV 900 mV -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 20A 35A 5A

上升时间 15 ns 7 ns 13.2 ns

输入电容(Ciss) 655pF @10V(Vds) 1790pF @10V(Vds) 350pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 2.8 W -

下降时间 5 ns 12 ns 1.3 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 2.9W (Ta) 2.8W (Ta), 69W (Tc) 2.4W (Ta)

通道数 1 - 1

漏源击穿电压 20 V - 20 V

封装 WSON-FET-6 VSON-8 WSON-FET-6

长度 2 mm - 2 mm

宽度 2 mm - 2 mm

高度 0.75 mm - 0.75 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 正在供货 停产

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

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