IRF6898MPBF和IRF6898MTRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF6898MPBF IRF6898MTRPBF

描述 Direct-FET N-CH 25V 35AINFINEON  IRF6898MTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 213 A, 25 V, 0.0008 ohm, 10 V, 1.6 V 新

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 7

封装 Direct-FET DirectFET-MX

额定功率 - 78 W

通道数 - 1

针脚数 - 7

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 - 78 W

阈值电压 - 1.6 V

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 35A 35A

上升时间 - 46 ns

输入电容(Ciss) - 5435pF @13V(Vds)

下降时间 - 19 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

耗散功率(Max) - 2.1W (Ta), 78W (Tc)

宽度 - 5.05 mm

封装 Direct-FET DirectFET-MX

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99

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