IRF7468和IRF7468PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7468 IRF7468PBF IRF7468TRPBF

描述 SOIC N-CH 40V 9.4AINFINEON  IRF7468PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 9.4 A, 40 V, 15.5 mohm, 10 V, 2 VMOSFET, Power; N-Ch; VDSS 40V; RDS(ON) 11.7 Milliohms; ID 9.4A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-1

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - - 40.0 V

额定电流 - - 9.40 A

漏源极电阻 - 0.0155 Ω 35 mΩ

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W 2.5 W

产品系列 - - IRF7468

输入电容 - - 2460pF @20V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

漏源击穿电压 - - 40 V

连续漏极电流(Ids) 9.4A 9.4A 9.40 A

上升时间 - 2.3 ns 2.30 ns

输入电容(Ciss) 2460pF @20V(Vds) 2460pF @20V(Vds) 2460pF @20V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

额定功率 - 2.5 W -

针脚数 - 8 -

阈值电压 - 2 V -

下降时间 - 3.8 ns -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) -

长度 - - 5 mm

高度 - - 1.5 mm

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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