对比图
描述 NXP BLF177 晶体管, 射频FET, 125 V, 16 A, 220 W, 1 MHz, 108 MHz射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETsTrans RF MOSFET N-CH 125V 16A
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)
分类 MOS管晶体管晶体管
安装方式 Flange Screw Screw
引脚数 4 4 4
封装 - M-174 SOT-121
频率 - 175 MHz 108 MHz
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 220 W 292000 mW -
漏源击穿电压 125V (min) 125 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 16.0 A 20.0 A -
输出功率 - 150 W 150 W
增益 19.0 dB 15 dB 19 dB
测试电流 - 250 mA -
输入电容(Ciss) - 480pF @50V(Vds) -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 292000 mW -
额定电压 - 125 V -
额定电流 16.0 A - 16 A
阈值电压 - - 4.5 V
电源电压(DC) 50.0 V - -
额定电压(DC) 125 V - -
针脚数 4 - -
漏源极电压(Vds) 125 V - -
封装 - M-174 SOT-121
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -
产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 Tray Bulk Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -