BSC22DN20NS3GATMA1和BUZ73L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC22DN20NS3GATMA1 BUZ73L BUZ31H3046XKSA1

描述 INFINEON  BSC22DN20NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.194 ohm, 10 V, 3 VSIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorInfineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 8 3 3

封装 TDSON-8 TO-220-3 TO-262-3

额定电压(DC) - 200 V -

额定电流 - 7.00 A -

通道数 - 1 1

漏源极电阻 0.194 Ω 400 mΩ 200 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 34 W 40 W 95 W

输入电容 - 840 pF -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 - 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 7A 7.00 A 14.5A

上升时间 4 ns 60 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 320pF @100V(Vds) 840pF @25V(Vds) 840pF @25V(Vds)

下降时间 3 ns 40 ns 60 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 34 W 40W (Tc) 95W (Tc)

额定功率 34 W - 95 W

针脚数 8 - -

阈值电压 3 V - -

长度 5.35 mm 10 mm 10.36 mm

宽度 6.35 mm 4.4 mm 4.52 mm

高度 1.1 mm 15.65 mm 9.45 mm

封装 TDSON-8 TO-220-3 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - -

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