对比图
型号 IRF640NS IRF640SPBF IRF640NSPBF
描述 Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3Pin(2+Tab) D2PAK功率MOSFET Power MOSFETINTERNATIONAL RECTIFIER IRF640NSPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 18A, D2-PAK 新
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) International Rectifier (国际整流器)
分类 N沟道MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 150 mΩ (max) 0.18 Ω 0.15 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 150 W 130 W 150 W
阈值电压 - 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 18.0 A 18.0 A 18.0 A
上升时间 19.0 ns 51 ns 19 ns
输入电容(Ciss) - 1300pF @25V(Vds) 1160pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 130 W 150 W
下降时间 - 36 ns 5.5 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 130 W 150000 mW
额定电压(DC) 200 V - 200 V
额定电流 18.0 A - 18.0 A
产品系列 IRF640NS - IRF640NS
漏源击穿电压 200V (min) - 200 V
长度 - 10.67 mm -
宽度 - 9.65 mm -
高度 - 4.83 mm -
封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
最小包装 - 2000 -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - - EAR99