JAN1N6122A和JANTXV1N6122A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N6122A JANTXV1N6122A 1N6122A.TR

描述 Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 35.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORSTrans Voltage Suppressor Diode, 500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon

数据手册 ---

制造商 Sensitron Semiconductor Microsemi (美高森美) Semtech Corporation

分类 TVS二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

引脚数 2 2 -

封装 - B -

钳位电压 64.6 V 64.6 V -

测试电流 25 mA 25 mA -

脉冲峰值功率 500 W 500 W -

最小反向击穿电压 - 44.7 V -

击穿电压 - 44.7 V -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

工作结温 - -55℃ ~ 175℃ -

封装 - B -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Bag -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -

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