对比图
型号 IXFR44N50P IXFR44N50Q3 IPA50R140CP
描述 N沟道 500V 24AN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备INFINEON IPA50R140CP 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 550 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
额定电压(DC) 500 V - -
额定电流 44.0 A - -
漏源极电阻 150 mΩ - 0.13 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 208W (Tc) 300W (Tc) 34 W
输入电容 5.44 nF - -
栅电荷 98.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V - -
连续漏极电流(Ids) 24.0 A - 23A
上升时间 27 ns 13 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 5440pF @25V(Vds) 4800pF @25V(Vds) 2540pF @100V(Vds)
下降时间 18 ns 9 ns 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 208W (Tc) 300W (Tc) 34W (Tc)
通道数 - 1 -
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 3 V
额定功率(Max) - - 34 W
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
长度 - 16.13 mm 10.65 mm
宽度 - 5.21 mm 4.85 mm
高度 - 21.34 mm 9.83 mm
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99