对比图
型号 IRFS3306TRLPBF IRFS7537TRLPBF AUIRFS3306
描述 INFINEON IRFS3306TRLPBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, HEXFET, 60V, 120A, D2PAKStrongIRFET™ 功率 MOSFET，InfineonInfineon 的 **StrongIRFE** 系列经过优化，RDS（接通）低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性，特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用，包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.0033 Ω 0.00275 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 230 W 230 W 230W (Tc)
阈值电压 4 V 3.7 V -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 160A 173A 160A
上升时间 46 ns 105 ns 76 ns
输入电容(Ciss) 4520pF @50V(Vds) 7020pF @25V(Vds) 4520pF @50V(Vds)
下降时间 77 ns 84 ns 77 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 230W (Tc) 230 W 230W (Tc)
输入电容 - 7020 pF -
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm
宽度 9.65 mm 9.65 mm 9.65 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -