对比图
型号 SI7452DP-T1-GE3 SI7478DP-T1-GE3
描述 MOSFET 60V 19.3A 5.4W 8.3mohm @ 10VMOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
数据手册 --
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SO-8 SO-8
耗散功率 1.9W (Ta) 1.9W (Ta)
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
耗散功率(Max) 1.9W (Ta) 1.9W (Ta)
漏源极电阻 - 8.8 mΩ
阈值电压 - 3 V
封装 SO-8 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free