SI7452DP-T1-GE3和SI7478DP-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI7452DP-T1-GE3 SI7478DP-T1-GE3

描述 MOSFET 60V 19.3A 5.4W 8.3mohm @ 10VMOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SO-8 SO-8

耗散功率 1.9W (Ta) 1.9W (Ta)

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

耗散功率(Max) 1.9W (Ta) 1.9W (Ta)

漏源极电阻 - 8.8 mΩ

阈值电压 - 3 V

封装 SO-8 SO-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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