对比图
描述 P沟道 40V 4.65AMOSFET 40V P-Ch Enh Mode 25mOhm -10V -7.2A
数据手册 --
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 PowerDI-3333-8 PowerDI-3333-8
引脚数 8 -
极性 P-CH P-CH
耗散功率 1.95 W 810mW (Ta)
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 7.2A 7.2A
上升时间 14.7 ns 14.7 ns
输入电容(Ciss) 1643pF @20V(Vds) 1643pF @20V(Vds)
额定功率(Max) - 810 mW
下降时间 30.9 ns 30.9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 810mW (Ta) -
封装 PowerDI-3333-8 PowerDI-3333-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
ECCN代码 - EAR99