BSS92E6325和BSS98E6288

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS92E6325 BSS98E6288 BSS92

描述 TO-92P-CH 240V 0.15ATO-92 N-CH 50V 0.3AP沟道增强型垂直的D- MOS晶体管 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类

基础参数对比

封装 TO-92 TO-92 TO-92

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-92 TO-92 TO-92

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

极性 P-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 240 V 50 V -

连续漏极电流(Ids) 0.15A 0.3A -

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