对比图
型号 BF493SG MMBTA92LT1G SMMBTA92LT3G
描述 高压晶体管PNP硅 High Voltage Transistor PNP SiliconON SEMICONDUCTOR MMBTA92LT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -300 V, 50 MHz, 300 mW, -500 mA, 50 hFE高电压晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-226-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 50 MHz 50 MHz 50 MHz
极性 PNP PNP, P-Channel PNP
耗散功率 625 mW 300 mW 0.3 W
击穿电压(集电极-发射极) 350 V 300 V 300 V
集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @10mA, 10V 25 @30mA, 10V 25 @30mA, 10V
额定功率(Max) 625 mW 300 mW 300 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 625 mW 300 mW 300 mW
额定电压(DC) -350 V -300 V -
额定电流 -500 mA -500 mA -
针脚数 - 3 -
直流电流增益(hFE) - 25 -
长度 - 2.9 mm 3.04 mm
宽度 - 1.3 mm 2.64 mm
高度 - 0.94 mm 0.94 mm
封装 TO-226-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 - NLR -