IRFZ44ESPBF和IRFZ44ESTRLPBF

对比图

型号 IRFZ44ESPBF IRFZ44ESTRLPBF IRFZ44ES

描述 N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 VD2PAK N-CH 60V 48A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 110 W 110 W -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 110W (Tc) 110 W 110W (Tc)

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 48A 48A 48.0 A

上升时间 60 ns 60 ns 60.0 ns

输入电容(Ciss) 1360pF @25V(Vds) 1360pF @25V(Vds) 1360pF @25V(Vds)

下降时间 70 ns 70 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 48.0 A

产品系列 - - IRFZ44ES

输入电容 - 1360 pF 1.36 nF

栅电荷 - - 60.0 nC

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 23 mΩ -

阈值电压 - 4 V -

漏源击穿电压 - 60 V -

长度 10.67 mm 6.5 mm -

宽度 9.65 mm 6.22 mm -

高度 4.83 mm 2.3 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free