LP358D和LP358DE4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LP358D LP358DE4 LM2904VDR2G

描述 超低功耗双运算放大器 ULTRA-LOW-POWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS超低功耗双运算放大器 ULTRA-LOW-POWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERSLM 系列 0.6 V/us 32 V 表面贴装 单电源 四通道 运算放大器 - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 85 µA - 1.5 mA

电路数 2 - 2

通道数 2 2 -

共模抑制比 80 dB 75 dB 70 dB

输入补偿漂移 10.0 µV/K 10.0 µV/K -

带宽 100 kHz 100 kHz 1 MHz

转换速率 50.0 mV/μs 50.0 mV/μs 300 mV/μs

增益频宽积 100 kHz 100 kHz 1 MHz

输入补偿电压 2 mV - 2 mV

输入偏置电流 2 nA - 45 nA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

增益带宽 0.1 MHz - 1 MHz

共模抑制比(Min) 80 dB - 50 dB

电源电压(Max) 32 V 32 V -

电源电压(Min) 3 V 3 V -

无卤素状态 - - Halogen Free

输出电流 - - 40mA @5V

针脚数 - - 8

电源电压 - - 3V ~ 32V

高度 1.5 mm 1.58 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.91 mm 4 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ - -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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