IS49NLC36800-33BLI和MT49H8M36FM-5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS49NLC36800-33BLI MT49H8M36FM-5 IS49NLC36800-33BL

描述 DRAM Chip RLDRAM2 288M-Bit 8M x 36 1.8V/2.5V 144Pin FCBGADRAM Chip RLDRAM 288Mbit 8Mx36 1.8V 144Pin UBGA TrayDRAM Chip RLDRAM2 288M-Bit 8M x 36 1.8V/2.5V 144Pin FCBGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Micron (镁光) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 144 - 144

封装 FCBGA-144 BGA FCBGA-144

供电电流 - - 580 mA

位数 36 - 36

工作温度(Max) 85 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V - 1.7V ~ 1.9V

工作电压 - 1.80 V -

存取时间 3.3 ns - -

电源电压(Max) 1.9 V - -

电源电压(Min) 1.7 V - -

高度 - - 0.8 mm

封装 FCBGA-144 BGA FCBGA-144

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅

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