PDTA143XU和PDTA143XU,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PDTA143XU PDTA143XU,115

描述 PNP电阻配备晶体管; R 1 = 4.7千瓦, R2 = 10千瓦 PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kW, R2 = 10 kWTRANS PREBIAS PNP 200mW SOT323

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-323 SOT-323-3

极性 PNP -

耗散功率 200 mW 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) 50 @10mA, 5V 50 @10mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW 200 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 65 ℃

耗散功率(Max) - 200 mW

高度 - 1 mm

封装 SOT-323 SOT-323-3

长度 - 2.2 mm

宽度 - 1.35 mm

工作温度 - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 - EAR99

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