对比图
型号 SI9926BDY-E3 SI9926BDY-T1-E3 SI9956DY
描述 MOSFET NCh Dual MOSFET 2.5VMOSFET DUAL N-CH 20V 6.2A 8-SOICMOSFET 20V 3.5A 2W
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 -
封装 SO-8 SOIC-8 SOT
漏源极电阻 20.0 mΩ 0.03 Ω -
耗散功率 1.14 W 1.14 W -
漏源极电压(Vds) - 20 V -
漏源击穿电压 20.0 V 20 V -
热阻 - 90℃/W (RθJA) -
额定功率(Max) - 1.14 W -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
极性 N-Channel - -
栅源击穿电压 ±12.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 6.20 A - -
长度 4.9 mm 5 mm -
高度 1.75 mm 1.55 mm -
封装 SO-8 SOIC-8 SOT
宽度 3.9 mm - -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Tube - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -