CY62256LL-55SNI和CY62256LL-55SNXI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62256LL-55SNI CY62256LL-55SNXI CY62256NLL-55SNXET

描述 256K ( 32K ×8 )静态RAM 256K (32K x 8) Static RAM256K ( 32K ×8 )静态RAM 256K (32K x 8) Static RAMCY62256N 系列 256 Kb (32 K x 8) 4.5 - 5.5 V 55 ns 静态RAM - SOIC-28

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 - 28 28

封装 SNC N SOIC-28 SOIC-28

安装方式 - Surface Mount -

位数 - 8 8

存取时间(Max) - 55 ns 55 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 5 V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) -

时钟频率 - 55.0 GHz -

存取时间 - 55.0 ns -

内存容量 - 256000 B -

封装 SNC N SOIC-28 SOIC-28

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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