DTA123JUAFRAT106和DTA123JUAT106

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTA123JUAFRAT106 DTA123JUAT106 DTA123JU3HZGT106

描述 ROHM  DTA123JUAFRAT106  晶体管 双极预偏置/数字, PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率, SOT-323 新PNP -100mA -50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管) PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.05 电阻比率

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-323 SC-70-3 SOT-323

额定电压(DC) - -50.0 V -

额定电流 - -100 mA -

额定功率 - 0.2 W -

极性 PNP PNP -

耗散功率 - 0.2 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) - 80 @10mA, 5V 80 @10mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 80 -

额定功率(Max) - 200 mW 200 mW

直流电流增益(hFE) - 80 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

增益带宽 - 250 MHz -

耗散功率(Max) - 200 mW -

长度 - 2 mm -

宽度 - 1.25 mm -

高度 - 0.8 mm -

封装 SOT-323 SC-70-3 SOT-323

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 - Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -

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