DMN2004VK-7和NTZD3154NT1G

对比图

型号 DMN2004VK-7 NTZD3154NT1G DMN2004VK-13

描述 DMN2004VK 系列 20 V 550 mOhm 双 N-沟道 增强模式 晶体管ON SEMICONDUCTOR  NTZD3154NT1G.  场效应管, MOSFETDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 6 -

封装 SOT-563 SOT-563-6 -

极性 N-CH Dual N-Channel -

耗散功率 0.25 W 250 mW -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V -

连续漏极电流(Ids) 0.54A 540 mA -

上升时间 13.3 ns 4 ns -

输入电容(Ciss) 150pF @16V(Vds) 150pF @16V(Vds) -

额定功率(Max) 250 mW 250 mW -

下降时间 36.1 ns 8 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 250 mW 280 mW -

额定电压(DC) - 20.0 V -

额定电流 - 540 mA -

通道数 - 2 -

针脚数 - 6 -

漏源极电阻 - 0.4 Ω -

阈值电压 - 1 V -

输入电容 - 80 pF -

漏源击穿电压 - 20.0 V -

栅源击穿电压 - ±6.00 V -

封装 SOT-563 SOT-563-6 -

长度 - 1.7 mm -

宽度 - 1.2 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -