GS8662Q18BGD-200和GS8662Q18BGD-200T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GS8662Q18BGD-200 GS8662Q18BGD-200T CY7C1512AV18-200BZXC

描述 QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13MM, 1MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13MM, 1MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-16572 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 GSI GSI Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 FBGA LBGA FBGA-165

引脚数 165 - 165

封装 FBGA LBGA FBGA-165

高度 - - 0.89 mm

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 0℃ ~ 85℃ - 0℃ ~ 70℃ (TA)

位数 - - 18

存取时间 - - 0.45 ns

存取时间(Max) - - 0.45 ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

电源电压 - - 1.7V ~ 1.9V

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