对比图
型号 IRFZ44ESTRLPBF IRFZ44ESTRRPBF IRFZ44ESPBF
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 VD2PAK N-CH 60V 48AN 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
通道数 1 1 -
漏源极电阻 23 mΩ 23 mΩ -
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 110 W 110 W 110W (Tc)
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V 60 V -
连续漏极电流(Ids) 48A 48A 48A
上升时间 60 ns 60 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 1360pF @25V(Vds) 1360pF @25V(Vds) 1360pF @25V(Vds)
下降时间 70 ns 70 ns 70 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)
额定功率 110 W - 110 W
针脚数 3 - -
阈值电压 4 V - -
输入电容 1360 pF - -
长度 6.5 mm 6.5 mm 10.67 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 9.65 mm
高度 2.3 mm 2.3 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free