对比图
型号 IRFZ24NSTRLPBF STB16NF06LT4 STB36NF06LT4
描述 Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RSTMICROELECTRONICS STB16NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 VSTMICROELECTRONICS STB36NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - 60.0 V 60.0 V
额定电流 - 16.0 A 30.0 A
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 0.07 Ω 0.07 Ω 0.032 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.8 W 45 W 70 W
阈值电压 4 V 1 V 1 V
输入电容 370pF @25V - 660 pF
栅电荷 - - 17.5 nC
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 - 60.0 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 17.0 A 16.0 A 30.0 A
上升时间 - 37 ns 80 ns
输入电容(Ciss) 370pF @25V(Vds) 345pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.8 W 45 W 70 W
下降时间 - 12.5 ns 13 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 45W (Tc) 70W (Tc)
栅源击穿电压 - ±16.0 V -
产品系列 IRFZ24NS - -
长度 10.67 mm 10.75 mm 10.4 mm
宽度 - 10.4 mm 9.35 mm
高度 4.703 mm 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -