ECJGVB1A106M和GRM21BR61A106K

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ECJGVB1A106M GRM21BR61A106K C2012X5R1A106M085AB

描述 CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 10V, X5R, 10uF, SURFACE MOUNT, 0805, CHIP, ROHS COMPLIANT片状独石陶瓷电容器0805 X5R 10V 10μF Chip Monolithic Ceramic Capacitor 0805 X5R 10μF 10VTDK C 型 0805 系列,X5R 电介质高电容,采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术 单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性 低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。 由于低 ESR,低自加热且耐高纹波 商用级,适用于一般应用,包括 一般电子设备;移动通信设备;电源电路;办公自动化设备;电视、LED 显示屏;服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 (NiSn) 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。

数据手册 ---

制造商 Panasonic (松下) muRata (村田) TDK (东电化)

分类 双极性晶体管陶瓷电容

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装(公制) 2012 - 2012

封装 0805 - 0805

额定电压(DC) 10.0 V - 10.0 V

电容 10.0 µF - 10 µF

容差 ±20 % - ±20 %

电介质特性 - - X5R

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

额定电压 - - 10 V

长度 2.00 mm - 2 mm

宽度 1.25 mm - 1.25 mm

高度 850 µm - 0.85 mm

封装(公制) 2012 - 2012

封装 0805 - 0805

厚度 - - 0.85 mm

材质 - - X5R/-55℃~+85℃

介质材料 - - Ceramic Multilayer

工作温度 - - -55℃ ~ 85℃

温度系数 - - ±15 %

产品生命周期 Unknown Obsolete Production (Not Recommended for New Design)

包装方式 Cut Tape (CT) - Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 4000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

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