JANS2N3735和JANTXV2N3700

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS2N3735 JANTXV2N3700 2N3735

描述 Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 3Pin TO-39Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18,Trans GP BJT NPN 50V 3Pin TO-39

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) M/A-Com Central Semiconductor

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-39 - TO-39-3

耗散功率 1 W - 1 W

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - 65 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW - 1000 mW

增益频宽积 - - 250 MHz

最小电流放大倍数(hFE) - - 20 @1A, 1.5V

最大电流放大倍数(hFE) - - 80 @1A, 1.5V

封装 TO-39 - TO-39-3

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

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