AUIRF3205ZS和IRF3205ZS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRF3205ZS IRF3205ZS AUIRF3205ZSTRL

描述 INFINEON  AUIRF3205ZS  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.0049 ohm, 10 V, 2 VD2PAK N-CH 55V 110A晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 0.0049 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 3 - 3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 170 W 170W (Tc) 170 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 110A 110A 110A

输入电容(Ciss) 3450pF @25V(Vds) 3450pF @25V(Vds) 3450pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 170W (Tc) 170W (Tc) 170W (Tc)

通道数 1 - 1

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0049 Ω - 0.0049 Ω

阈值电压 2 V - 4 V

上升时间 95 ns - 95 ns

下降时间 67 ns - 67 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定功率 170 W - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm - 10 mm

宽度 11.3 mm - 9.65 mm

高度 4.83 mm - 4.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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